华虹NEC 嵌入式闪存工艺（EF130 ）是采用美国CyPress 公司授权的电荷捕获型SONOS FLASH 存储单元，由华虹NEC 和Cypress 公司共同开发完成的基于开放式SONOS 平台的0.13 微米eFlash 技术。在该工艺技术上，华虹NEC 通过消化、吸收，自主开发出了自己的IP 和专利技术，形成了系列的、完备的技术平台，为国内外用户提供了世界先进水平且具有自主知识产权的工艺、IP 和产品测试服务。该项目从立项到开始大批量生产历时21 个月，其间完成了测试芯片的设计，工艺模块的开发，工艺模块的集成，器件调试，器件模型的提取，IP 的设计和验证，量产品的流片，测试技术开发，信赖性测试等一系列开发与评价工作。创造性的完成了ONO 结构形成，PSG 薄膜沉积，通孔SAC 刻蚀，90nm 设计规则的后道铝工艺等关键模块的开发，最终完全达到了IP 和产品的设计参数要求，可靠性达到了业界领先水平，客户的产品己经顺利通过了各级验证并顺利实现了量产。
华虹NEC 是全球Foundry 中第一家提供0.13um 嵌入式闪存技术的公司。在该技术平台上实现的0.13um EEPROM 技术达到了国际领先水平。EF13O 平台的推出，为国内外众多设计公司提供了一个成品率稳定、可靠性高的嵌入式闪存工艺平台，实现了产品的升级换代，具有深远的社会意义和良好的经济效益。
本项目重点开发了0.13 微米SONOS 型eFlash / EEPROM 成套集成工艺及1P 核技术，围绕eFlash / EEPROM 存储器技术建立集成工艺、IP 核设计服务、存储器测试分析等技术平台及大生产服务体系，并在大容量SIM 、RFID 、Smart Card 及微控制器等典型应用领域形成规模制造能力和应用服务能力，建立了我国企业自主发展的核心竞争力。工艺特点在于在0.13um CMOS 逻辑集成电路制造工艺平台上集成了NOR 型闪存工艺模块。它将逻辑电路及闪存存储器件合而为一，在提高集成度，降低制造成本等方面具有明显优势。
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